Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://hdl.handle.net/123456789/7362
Titre: SMALL-SIGNAL TIME-DOMAIN PHYSICAL/ELECTRICAL FET MODELING APPROACH
Auteur(s): N.A. Abdeslam
S. Asadi
N. Sengouga
M.C.E. Yagoub
Mots-clés: Index Terms— FDTD, MESFET, time domain, wave effects
Date de publication: 3-mar-2016
Résumé: In this paper, a reliable small-signal time-domain FET modeling approach is proposed. Based on physical/electrical parameters, the proposed model can efficiently characterize high-frequency transistors.
URI/URL: http://dspace.univ-biskra.dz:8080/jspui/handle/123456789/7362
Collection(s) :Communications Internationales

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